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英唐智控获十年专利授权 与中天弘宇合作关系持续深化

发布时间:2021-11-30     所属分类:集团新闻     阅读次数:3110

     2021年11月29日,英唐智控与中天弘宇集成电路有限责任公司(以下简称“中天弘宇”)签署了《专利授权许可合同》(以下简称“《授权合同》”),中天弘宇将与其新型闪存技术相关的5项专利使用权授权给英唐智控及其控股子公司、参股子公司用于芯片产品开发。《授权合同》的签署,标志着双方在新型闪存技术的产业化合作,尤其在电源管理芯片产品方面的合作得到进一步深化。

      电源管理芯片是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片,用于近乎所有电子产品和设备中。根据Frost&Sullivan统计,2020年全球电源管理芯片市场规模约328.8亿美元,2016年至2020年年复合增长率为13.52%。其中以大陆为主的亚太地区是未来全球电源管理芯片最大的成长动力。NOR 闪存作为组成电源管理芯片的一部分,其大小、功耗和成本对电源管理芯片的大小、功耗和成本有着重要影响。传统NOR闪存拥有读取速度快、芯片内可执行代码等优势,但传统结构的NOR闪存无法突破90nm栅极长度的技术瓶颈,导致NOR闪存的记忆单元面积无法降低到10F2以下,使其芯片成本居高不下。

      中天弘宇的研发团队在经过十多年的持续研究,完成了对传统NOR闪存机理和结构创新,其拥有自主知识产权的新型闪存创新技术,已被中国电子学会组办的专家委员会鉴定为:在不改变现有标准CMOS工艺的情况下突破闪存的缩微技术瓶颈,“在非易失存储领域属国际首创技术”。其新型闪存技术应用于90nmBCD工艺的电源管理芯片,突破了目前市场上电源管理芯片130-180nm的主流工艺制程水平,显示出了明显的能耗和成本优势,具有良好的产业化前景。

      公司于2020年11月与中天弘宇签署协议,就其新型闪存技术的共同开发、产业化应用、IP共享等领域达成合作。此后,中天弘宇继续推进新型闪存技术的IP验证和专利申报工作,在2021年8月22日于上海举办的技术发布会上,中天弘宇向外界公布了运用了其新型闪存技术的国内某头部代工厂商90nmBCD工艺平台已经通过产品流片验证的重大进展。随着中天弘宇IP验证和专利申报工作的逐项完成,结合公司战略规划和市场需求,英唐智控与中天弘宇进一步在IP授权方面达成了合作并签署了《专利授权许可合同》,合同约定英唐智控及其控股子公司、参股子公司可以使用授权专利技术用于开发自己的芯片产品,授权使用费总计1,000万元并将根据产品开发进展分批支付,授权使用专利的期限为十年。通过专利授权方式,双方将共同持续推动新型闪存技术的产业化应用进程。

      本次授权专利能够解决传统NOR闪存技术中漏极源极的穿通、有效沟道长度无法缩减等问题,提高存储单元的使用寿命和编程效率的同时降低了功耗,可以满足闪存产品体积更小、研发效率更高的需求,从而降低研发生产成本。英唐智控拟以控股子公司英唐微技术、上海芯石、参股公司方为半导体的技术研发为基础,借助中天弘宇在新型闪存方面的自主知识产权,研发设计应用于例如穿戴手环、智能手机、玩具、网通路由器、蓝牙主芯片、网络摄像机等领域相关的电源管理芯片产品。

      新技术的产业化进程往往不是一蹴而就的,它离不开持续的投入和试错,离不开合作伙伴的相互信任与支持。在为客户提供更优质的服务的共同目标下,相信本次合作深化将能加速推进新型闪存技术的产业化和公司电源管理芯片产品的研发进程,从而为未来提升公司竞争力和盈利能力夯实基础。


以下附表为本次英唐智控取得中天弘宇的授权专利:

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